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参数目录39984
> IXKC19N60C5 MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
型号:
IXKC19N60C5
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXKC19N60C5 PDF
标准包装
50
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
125 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 1.1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 100V
功率 - 最大
-
安装类型
通孔
封装/外壳
ISOPLUS220?
供应商设备封装
ISOPLUS220?
包装
管件
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